P-Channel MOSFET Transistor, 5.1 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2333CDS-T1-GE3
- RS-stocknr.:
- 710-3260
- Fabrikantnummer:
- SI2333CDS-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Tijdelijk niet op voorraad – voor levertijd of een alternatief product neem contact op via Live Chat of zoek een vergelijkbaar product op de website.
Toegevoegd
Prijs Elk (in een pakket van 10)
€ 0,462
(excl. BTW)
€ 0,559
(incl. BTW)
| Aantal stuks | Per stuk | Per pak* |
| 10 - 40 | € 0,462 | € 4,62 |
| 50 - 90 | € 0,46 | € 4,60 |
| 100 - 240 | € 0,406 | € 4,06 |
| 250 - 490 | € 0,357 | € 3,57 |
| 500 + | € 0,322 | € 3,22 |
| *prijsindicatie | ||
Alternatief
P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2333DDS-T1-GE3
€ 0,486
Elk (in een pakket van 10)
RS-stocknr.: 787-9222
- RS-stocknr.:
- 710-3260
- Fabrikantnummer:
- SI2333CDS-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Datasheets
Wetgeving en compliance
- Land van herkomst:
- CN
Productomschrijving
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.1 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V, 9 nC @ 2.5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Width | 1.4mm |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3.04mm |
| Height | 1.02mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |