- RS-stocknr.:
- 168-4411
- Fabrikantnummer:
- IXGT30N120B3D1
- Fabrikant:
- IXYS
tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 30-10-2024, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.
Toegevoegd
Prijs Elk (in eentube van 30)
€ 9,749
(excl. BTW)
€ 11,796
(incl. BTW)
Aantal stuks | Per stuk | Per tube* |
30 + | € 9,749 | € 292,47 |
*prijsindicatie |
- RS-stocknr.:
- 168-4411
- Fabrikantnummer:
- IXGT30N120B3D1
- Fabrikant:
- IXYS
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
---|---|
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Package Type | TO-268 |
Mounting Type | Surface Mount |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Dimensions | 16.05 x 14 x 5.1mm |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
- RS-stocknr.:
- 168-4411
- Fabrikantnummer:
- IXGT30N120B3D1
- Fabrikant:
- IXYS