- RS-stocknr.:
- 686-8341
- Fabrikantnummer:
- STGB10NB37LZT4
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 24-03-2025, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.
Toegevoegd
Prijs Elk (in een pakket van 2)
€ 2,205
(excl. BTW)
€ 2,668
(incl. BTW)
Aantal stuks | Per stuk | Per pak* |
2 - 8 | € 2,205 | € 4,41 |
10 - 18 | € 2,095 | € 4,19 |
20 - 48 | € 1,885 | € 3,77 |
50 - 98 | € 1,70 | € 3,40 |
100 + | € 1,61 | € 3,22 |
*prijsindicatie |
- RS-stocknr.:
- 686-8341
- Fabrikantnummer:
- STGB10NB37LZT4
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
---|---|
Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
Maximum Collector Emitter Voltage | 375 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | 12V |
Package Type | D2PAK (TO-263) |
Mounting Type | Surface Mount |
Channel Type | N |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Dimensions | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |