SI2365EDS-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay

  • RS-stocknr. 812-3139
  • Fabrikantnummer SI2365EDS-T1-GE3
  • Fabrikant Vishay
Datasheets
Wetgeving en compliance
Conform
Land van herkomst: CN
Specificaties
Kenmerk Waarde
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Maximum Drain Source Resistance 67.5 mΩ
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
Package Type SOT-23 (TO-236)
Mounting Type Surface Mount
Transistor Configuration Single
Pin Count 3
Channel Mode Enhancement
Maximum Power Dissipation 1.7 W
Width 1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs 23.8 nC @ 8 V
Minimum Operating Temperature -50 °C
Transistor Material Si
Length 3.04mm
Height 1.02mm
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
1700 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (EU-voorraad)
2350 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (UK-voorraad)
Prijs Each (In a Pack of 50)
0,24
(excl. BTW)
0,29
(incl. BTW)
Aantal stuks
Per stuk
Per pak*
50 - 250
€ 0,24
€ 12,00
300 - 550
€ 0,133
€ 6,65
600 - 1450
€ 0,108
€ 5,40
1500 - 2950
€ 0,083
€ 4,15
3000 +
€ 0,073
€ 3,65
*prijsindicatie
Verpakkingsopties