N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 Vishay SIA416DJ-T1-GE3
- RS-stocknr.:
- 818-1441
- Fabrikantnummer:
- SIA416DJ-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 30-10-2025, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.
Toegevoegd
Prijs Elk (in een pakket van 20)
€ 0,627
(excl. BTW)
€ 0,759
(incl. BTW)
| Aantal stuks | Per stuk | Per pak* |
| 20 - 180 | € 0,627 | € 12,54 |
| 200 - 480 | € 0,514 | € 10,28 |
| 500 - 980 | € 0,471 | € 9,42 |
| 1000 - 1980 | € 0,439 | € 8,78 |
| 2000 + | € 0,376 | € 7,52 |
| *prijsindicatie | ||
- RS-stocknr.:
- 818-1441
- Fabrikantnummer:
- SIA416DJ-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Wetgeving en compliance
- Land van herkomst:
- CN
Productomschrijving
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Series | ThunderFET |
| Package Type | PowerPAK SC-70 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 6 |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
| Maximum Power Dissipation | 19 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Width | 2.15mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Length | 2.15mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Material | Si |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 0.75mm |
- RS-stocknr.:
- 818-1441
- Fabrikantnummer:
- SIA416DJ-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay