onsemi BDX33BG NPN Digital Transistor, 80 V dc, 3-Pin TO-220

Bekijk alle Bipolar Transistors
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 34,55

(excl. BTW)

€ 41,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 50 stuk(s) vanaf 04 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 50€ 0,691€ 34,55
100 - 200€ 0,518€ 25,90
250 - 450€ 0,512€ 25,60
500 - 950€ 0,439€ 21,95
1000 +€ 0,37€ 18,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
186-7366
Fabrikantnummer:
BDX33BG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V dc

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

70 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

10.53 x 4.83 x 9.28mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Land van herkomst:
CN
The 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose and low speed switching applications. The BDX33B, BDX33C, BDX34B and BDX34C are complementary devices.

High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ.) at IC = 4.0
Collector-Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX33B, 34B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX33C, 34C
Low Collector-Emitter Saturation Voltage CE(sat) = 2.5 Vdc (max.) at IC = 3.0 Adc BDX33B, 33C/34B, 34C
Monolithic Construction with Build-In Base-Emitter Shunt resistors
TO-220AB Compact Package
Pb-Free Packages are Available

Gerelateerde Links