onsemi NST65010MW6T1G Transistor, -100 mA PNP, -65 V, 6-Pin SOT-363
- RS-stocknr.:
- 920-9887
- Fabrikantnummer:
- NST65010MW6T1G
- Fabrikant:
- onsemi
Afbeelding representeert productcategorie
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 100 eenheden)*
€ 16,60
(excl. BTW)
€ 20,10
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Op voorraad
- 100 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,166 | € 16,60 |
| 500 - 900 | € 0,143 | € 14,30 |
| 1000 + | € 0,124 | € 12,40 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 920-9887
- Fabrikantnummer:
- NST65010MW6T1G
- Fabrikant:
- onsemi
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -100mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -65V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | -80V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 100MHz | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | -5V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 0.9 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 380mW | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -100mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -65V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO -80V | ||
Maximum Transition Frequency ft 100MHz | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO -5V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 0.9 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 380mW | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual Matched Bipolar Transistors, ON Semiconductor
Pairs of NPN or PNP bipolar transistors in a single package matched for Base-Emitter voltage (VBE) and Current Gain (hFE).
Gerelateerde Links
- onsemi Transistor -65 V, 6-Pin SOT-363
- onsemi Transistor -65 V, 6-Pin SOT-363
- onsemi BC856BDW1T1G Transistor -65 V, 6-Pin SOT-363
- onsemi Digital Transistor 6-Pin
- onsemi SBC846BPDW1T1G Digital Transistor 6-Pin
- Infineon Transistor -65 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon BCM856SH6327XTSA1 Transistor -65 V, 6-Pin SOT-363
- Nexperia Transistor -65 V, 6-Pin SOT-363
