- RS-stocknr.:
- 193-650
- Fabrikantnummer:
- MII200-12A4
- Fabrikant:
- IXYS
Tijdelijk niet op voorraad – voor levertijd of een alternatief product neem contact op via Live Chat of zoek een vergelijkbaar product op de website.
Toegevoegd
Prijs Per stuk
€ 122,27
(excl. BTW)
€ 147,95
(incl. BTW)
Aantal stuks | Per stuk |
1 - 1 | € 122,27 |
2 - 4 | € 112,08 |
5 - 9 | € 103,46 |
10 - 19 | € 98,19 |
20 + | € 96,26 |
Alternatief
Dit product is momenteel niet beschikbaar. Hierbij onze aanbeveling voor een alternatief product.
- RS-stocknr.:
- 193-650
- Fabrikantnummer:
- MII200-12A4
- Fabrikant:
- IXYS
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
---|---|
Maximum Continuous Collector Current | 270 A |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Configuration | Series |
Package Type | Y3 DCB |
Mounting Type | Screw Mount |
Channel Type | N |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Series |
Dimensions | 110 x 62 x 30mm |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
- RS-stocknr.:
- 193-650
- Fabrikantnummer:
- MII200-12A4
- Fabrikant:
- IXYS