onsemi FGY4L100T120SWD, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 200 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 10,82

(excl. BTW)

€ 13,09

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 20 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 10,82
10 - 99€ 9,74
100 - 499€ 9,00
500 - 999€ 8,34
1000 +€ 7,48

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
277-076
Fabrikantnummer:
FGY4L100T120SWD
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

200A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation Pd

1.07kW

Package Type

TO-247-4L

Configuration

Common Emitter

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

22.54mm

Length

15.8mm

Width

5 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The ON Semiconductor IGBT and Gen7 Diode in a TO247 4-lead package offer optimal performance with low switching and conduction losses, enabling high-efficiency operations. These components are designed for use in various applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and energy storage systems (ESS), providing reliable and efficient power management in these demanding environments.

High current capability

Smooth and optimized switching

Low switching loss

RoHS compliant

Gerelateerde Links