- RS-stocknr.:
- 165-6607
- Fabrikantnummer:
- STGD18N40LZT4
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 25-11-2024, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.
Toegevoegd
Prijs Elk (op een haspel van 2500)
€ 0,998
(excl. BTW)
€ 1,208
(incl. BTW)
Aantal stuks | Per stuk | Per reel* |
2500 + | € 0,998 | € 2.495,00 |
*prijsindicatie |
- RS-stocknr.:
- 165-6607
- Fabrikantnummer:
- STGD18N40LZT4
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Wetgeving en compliance
- Land van herkomst:
- CN
Productomschrijving
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
---|---|
Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
Maximum Collector Emitter Voltage | 420 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | 16V |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Package Type | DPAK (TO-252) |
Mounting Type | Surface Mount |
Channel Type | N |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Single |
Dimensions | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |