Vishay SIA456DJ-T1-GE3 IGBT
- RS-stocknr.:
- 180-7793
- Fabrikantnummer:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
2950 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en).
Toegevoegd
Prijs Elk (in een pakket van 10)
€ 0,779
(excl. BTW)
€ 0,943
(incl. BTW)
| Aantal stuks | Per stuk | Per pak* |
| 10 - 90 | € 0,779 | € 7,79 |
| 100 - 240 | € 0,741 | € 7,41 |
| 250 - 490 | € 0,623 | € 6,23 |
| 500 - 990 | € 0,585 | € 5,85 |
| 1000 + | € 0,507 | € 5,07 |
| *prijsindicatie | ||
- RS-stocknr.:
- 180-7793
- Fabrikantnummer:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Datasheets
Wetgeving en compliance
- Land van herkomst:
- CN
Productomschrijving
The Vishay SIA456DJ is a N-channel MOSFET having drain to source voltage(Vds) of 200V and gate to source voltage (VGS) 16V. It is having power PAK SC-70 package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 1.38ohms at 4.5VGS and 1.5ohms at 2.5VGS. Maximum drain current 2.6A.
Trench FET power MOSFET
Thermally enhanced Power PAK SC-70 package
Small footprint area
Thermally enhanced Power PAK SC-70 package
Small footprint area