Infineon IKD15N60RATMA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 2,84

(excl. BTW)

€ 3,435

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.860 stuk(s) vanaf 16 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 0,568€ 2,84

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-6657
Fabrikantnummer:
IKD15N60RATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

20kHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

TrenchStop

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links