Infineon IGB50N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO-263, Surface

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 15,30

(excl. BTW)

€ 18,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.000 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,06€ 15,30
25 - 45€ 2,752€ 13,76
50 - 120€ 2,57€ 12,85
125 - 245€ 2,388€ 11,94
250 +€ 2,234€ 11,17

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
226-6063
Fabrikantnummer:
IGB50N65S5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

270W

Package Type

PG-TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

TrenchStop

Automotive Standard

No

The Infineon IGB50N65S is 50 A IGBT with anti-parallel diode with no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.

Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C

Maximum junction temperature Tvj 175°C

four times nominal current

Gerelateerde Links