Infineon FZ825R33HE4DBPSA1 Single IGBT Module, 825 A 3300 V AG-IHVB130

Subtotaal 1 eenheid (geleverd op een tray)*

€ 1.236,77

(excl. BTW)

€ 1.496,49

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 5 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 1.236,77

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
236-5199P
Fabrikantnummer:
FZ825R33HE4DBPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

825A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

3300V

Maximum Power Dissipation Pd

2400kW

Number of Transistors

2

Configuration

Single

Package Type

AG-IHVB130

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

62 mm

Standards/Approvals

60749, 60068, IEC 60747

Height

16.4mm

Length

109.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon single switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.

VCES is 3300 V

IC nom is 825 A

ICRM is 1650 A

It retains high current density