Infineon IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 4,58

(excl. BTW)

€ 5,54

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 280 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 2,29€ 4,58
10 - 98€ 2,17€ 4,34
100 - 248€ 2,07€ 4,14
250 - 498€ 1,96€ 3,92
500 +€ 1,88€ 3,76

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
242-0978
Fabrikantnummer:
IGP20N65H5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

42 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

125 W

Package Type

TO-220-3

Configuration

Single

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies
Plug and play replacement of previous generation IGBTs
Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters
Mid to high range switching frequency converters

Gerelateerde Links