onsemi NXH40B120MNQ0SNG IGBT Module Q0PACK - Case 180AJ, Surface

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 80,63

(excl. BTW)

€ 97,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 05 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 80,63
10 +€ 69,50

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
245-6982
Fabrikantnummer:
NXH40B120MNQ0SNG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

IGBT Module

Maximum Power Dissipation Pd

118W

Number of Transistors

2

Package Type

Q0PACK - Case 180AJ

Mount Type

Surface

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

55.2mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

13.9mm

Series

NXH40B120MNQ0SNG

Automotive Standard

No

Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC Diode Nickel Plated DBC


The ON Semiconductor 3 Channel Boost Q1 Power Module is a power module containing a dual boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

1200 V 40 m SiC MOSFETs

Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes

1200 V Bypass and Anti parallel Diodes

Low Inductive Layout Solderable Pins Thermistor

This Device is Pb Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS Compliant

Gerelateerde Links