Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT Module, 69 A 1200 V, 8-Pin Module, Panel

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tray van 24 eenheden)*

€ 603,168

(excl. BTW)

€ 729,84

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 08 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
24 - 96€ 25,132€ 603,17
120 +€ 23,037€ 552,89

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-7360
Fabrikantnummer:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

69A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

335W

Package Type

Module

Mount Type

Panel

Pin Count

8

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

33.8 mm

Height

16.4mm

Standards/Approvals

IEC61140, EN61140

Length

62.8mm

Automotive Standard

No

The Infineon Diode Bridge Modules with Brake Chopper and NTC for a more compact converter design. It has 1600 V repetitive peak reverse voltage and 65 A Maximum RMS forward current per chip.

Thermal resistance

Al2O3 internal isolation

Total power dissipation 335W

15 A continuous DC forward current

Gerelateerde Links