STMicroelectronics STGW60V60DF, Type N-Channel IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 20,94

(excl. BTW)

€ 25,335

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 90 stuk(s) vanaf 17 maart 2026
  • Plus verzending 60 stuk(s) vanaf 24 juni 2026
  • Plus verzending 90 stuk(s) vanaf 15 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 4,188€ 20,94
10 - 20€ 3,98€ 19,90
25 - 45€ 3,584€ 17,92
50 +€ 3,562€ 17,81

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
791-7643
Fabrikantnummer:
STGW60V60DF
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

Trench Gate Field Stop

Length

15.75mm

Width

5.15 mm

Height

20.15mm

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links