IXYS IXDN55N120D1 IGBT, 100 A 1200 V, 4-Pin SOT-227B, Surface Mount

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 33,17

(excl. BTW)

€ 40,14

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 33,17
2 - 4€ 32,26
5 - 9€ 31,38
10 - 29€ 30,60
30 +€ 29,81

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
804-7616
Fabrikantnummer:
IXDN55N120D1
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

450 W

Package Type

SOT-227B

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

4

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

38.2 x 25.07 x 9.6mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

IGBT Discretes, IXYS



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links