STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD3NK60Z-1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 75 eenheden)*

€ 31,35

(excl. BTW)

€ 37,95

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.700 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
75 - 675€ 0,418€ 31,35
750 - 1425€ 0,397€ 29,78
1500 +€ 0,368€ 27,60

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
151-949
Fabrikantnummer:
STD3NK60Z-1
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SuperMESH

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11.8nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using the Super MESH technology, an optimization of the well established Power MESH. In addition to a significant reduction in on resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener protected

Gerelateerde Links