STMicroelectronics MDmesh II Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60N

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 5 eenheden)*

€ 12,36

(excl. BTW)

€ 14,955

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 2.260 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5 - 45€ 2,472€ 12,36
50 - 95€ 2,348€ 11,74
100 - 495€ 2,172€ 10,86
500 - 995€ 2,002€ 10,01
1000 +€ 1,932€ 9,66

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
151-952
Fabrikantnummer:
STD13NM60N
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

MDmesh II

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.36Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.1mm

Height

2.4mm

Width

6.6 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

100% avalanche tested

Low input capacitance and gate charge

Low gate input resistance

Gerelateerde Links