Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 300 A, 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-30YLDX

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.

Alternatief

Dit product is momenteel niet beschikbaar. Hierbij onze aanbeveling voor een alternatief product.

presentation
onsemi NTMYS1D2N04CL Type N-Channel MOSFET, 258 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
RS-stocknr.
189-0262

Elk (op een haspel van 3000)

€ 1,233

(excl. BTW)

€ 1,492

(incl. BTW)

RS-stocknr.:
219-313
Fabrikantnummer:
PSMN1R0-30YLDX
Fabrikant:
Nexperia
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

LFPAK

Series

PSM

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

57.3nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

238W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

The Nexperia N-Channel MOSFET features NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.

Low parasitic inductance and resistance

High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package

Wave solder able

Superfast switching with soft recovery

Gerelateerde Links