Infineon IQD0 Type N-Channel MOSFET, 276 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQD020N10NM5SCATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,00

(excl. BTW)

€ 12,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,00€ 10,00
20 - 198€ 4,505€ 9,01
200 - 998€ 4,15€ 8,30
1000 - 1998€ 3,85€ 7,70
2000 +€ 3,455€ 6,91

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-912
Fabrikantnummer:
IQD020N10NM5SCATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

276A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IQD0

Package Type

PG-WHSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.05mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

107nC

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Length

5mm

Width

6 mm

Height

0.75mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon Power MOSFET comes with a low RDS(on) of 2,05 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. Moreover, with the dual-side cooling package five times more power can be dissipated compared to the over molded package. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications.

Cutting edge 100 V silicon technology

Outstanding FOMs

Improved thermal performance

Ultra-low parasitic

Maximized chip or package ratio

Gerelateerde Links