Microchip N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 450 mA, 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3 (TO-226AA)

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 1.926,00

(excl. BTW)

€ 2.330,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 03 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 0,963€ 1.926,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
598-673
Fabrikantnummer:
TN0104N8-G
Fabrikant:
Microchip
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Microchip

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N-Channel Vertical DMOS FET

Maximum Continuous Drain Current Id

450mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-92-3 (TO-226AA)

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.8Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Forward Voltage Vf

1.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

5.3mm

Length

4.2mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

4.2 mm

Automotive Standard

No

The Microchip N Channel Enhancement-Mode Vertical low-threshold transistor is built using a vertical DMOS structure and a well-established silicon-gate manufacturing process. This design combines the power handling capabilities of bipolar transistors with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices. Like all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Gerelateerde Links