Vishay SIR5812DP Type N-Channel Single MOSFETs, 45.3 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5812DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.275,00

(excl. BTW)

€ 1.542,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 31 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,425€ 1.275,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-197
Fabrikantnummer:
SIR5812DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

45.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SIR5812DP

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0135Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.15 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.15mm

Height

1.04mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay TrenchFET Gen V N-Channel Power MOSFET rated for 80 V drain-source voltage. Packaged in a PowerPAK SO-8, it's Ideal for DC/DC converters, synchronous rectification, motor control, and hot swap switching.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links