Fabrikantnummer

Vishay SIR5812DP N-Channel Single MOSFETs, 45.3 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5812DP-T1-RE3

RS-stocknr.:: 653-197
Fabrikantnummer:: SIR5812DP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SIR5812DP N-Channel Single MOSFETs, 45.3 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5812DP-T1-RE3

Subtotaal (3000 eenheden, op een rol van 3000)*

€ 1.482,00

(excl. BTW)

€ 1.794,00

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Laatste voorraad RS

Laatste 6.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Aantal stuks	Per stuk	Per rol*
3000 +	€ 0,494	€ 1.482,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 653-197
Fabrikantnummer:: SIR5812DP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	45.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PowerPAK
	Series	SIR5812DP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0135Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.15mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.15mm
	Height	1.04mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 45.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PowerPAK
	Series SIR5812DP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0135Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.15mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.15mm
	Height 1.04mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIR5812DP-T1-RE3

Land van herkomst:: CN

The Vishay TrenchFET Gen V N-Channel Power MOSFET rated for 80 V drain-source voltage. Packaged in a PowerPAK SO-8, it's Ideal for DC/DC converters, synchronous rectification, motor control, and hot swap switching.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.