Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 23.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8L SQJ968EP-T1_BE3

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 1,31

(excl. BTW)

€ 1,59

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Rol(len)
Per rol
1 +€ 1,31

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
736-655
Fabrikantnummer:
SQJ968EP-T1_BE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

23.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8L

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.134Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18.5nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.13mm

Width

6.15mm

Height

1.07mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
DE

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.