Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 65 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW40R025M2HXKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,62

(excl. BTW)

€ 10,43

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 240 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,62
10 - 49€ 6,98
50 - 99€ 5,34
100 +€ 4,27

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-903
Fabrikantnummer:
IMW40R025M2HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Series

CoolSiC

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

25.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Power Dissipation Pd

195W

Forward Voltage Vf

4.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

20.8mm

Height

4.83mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET is Ideal for high frequency switching and synchronous rectific and features Benchmark gate threshold voltage. Additionally it features XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance.

100% avalanche tested

Recommended gate driving voltage

Qualified for industrial applications

Used for energy storage, UPS and battery formation

Gerelateerde Links