Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 65 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW40R025M2HXKSA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,62

(excl. BTW)

€ 10,43

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 129 stuk(s) vanaf 03 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,62
10 - 49€ 6,98
50 - 99€ 5,34
100 +€ 4,27

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-903
Fabrikantnummer:
IMW40R025M2HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

25.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

195W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Forward Voltage Vf

4.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

20.8mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

4.83mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET is Ideal for high frequency switching and synchronous rectific and features Benchmark gate threshold voltage. Additionally it features XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance.

100% avalanche tested

Recommended gate driving voltage

Qualified for industrial applications

Used for energy storage, UPS and battery formation

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.