Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 28 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R075M2HXTMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 4,56

(excl. BTW)

€ 5,52

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 02 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 4,56
10 - 49€ 3,70
50 - 99€ 2,83
100 +€ 2,27

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-918
Fabrikantnummer:
IMBG65R075M2HXTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-TO263-7

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

95mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Power Dissipation Pd

124W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.5mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

15mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon CoolSiC MOSFET delivers unparalleled performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost effective, highly efficient, and simplified designs to fulfill the ever‑growing system and market needs.

Ultra‑low switching losses

Enhances system robustness and reliability

Facilitates great ease of use and integration

Reduces the size, weight and bill of materials of the systems

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.