STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60DM2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 13,02

(excl. BTW)

€ 15,755

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 08 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 2,604€ 13,02
10 - 95€ 2,216€ 11,08
100 - 495€ 1,738€ 8,69
500 +€ 1,466€ 7,33

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
111-6459
Fabrikantnummer:
STB18N60DM2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

MDmesh DM2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

290mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

9.35mm

Width

10.4 mm

Height

4.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics


The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


Gerelateerde Links