ROHM RUC002N05 Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70 RUC002N05T116
- RS-stocknr.:
- 124-6837
- Fabrikantnummer:
- RUC002N05T116
- Fabrikant:
- ROHM
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 100 eenheden)*
€ 5,80
(excl. BTW)
€ 7,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 2.300 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,058 | € 5,80 |
| 500 - 900 | € 0,031 | € 3,10 |
| 1000 - 2400 | € 0,029 | € 2,90 |
| 2500 - 4900 | € 0,029 | € 2,90 |
| 5000 + | € 0,028 | € 2,80 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 124-6837
- Fabrikantnummer:
- RUC002N05T116
- Fabrikant:
- ROHM
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Package Type | SC-70 | |
| Series | RUC002N05 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.15mm | |
| Width | 1.5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Package Type SC-70 | ||
Series RUC002N05 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.15mm | ||
Width 1.5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Gerelateerde Links
- ROHM RU1J002YN N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-323 RU1J002YNTCL
- ROHM RU1C002ZP P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-323 RU1C002ZPTCL
- ROHM N-Channel MOSFET 50 V SOT-723 RYM002N05T2CL
- ROHM UMT3906T106 PNP Transistor -40 V, 3-Pin SOT-323
- ROHM RU1C001UN N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-323 RU1C001UNTCL
- ROHM BSS N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-323 BSS138WAHZGT106
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-323 BSS138W-7-F
- Nexperia P-Channel MOSFET 30 V115
