Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 306,00

(excl. BTW)

€ 370,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 0,306€ 306,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
124-8756
Fabrikantnummer:
BSP296NH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

800mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Width

3.5 mm

Height

1.6mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
CN

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links