IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 Type N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 20 eenheden)*

€ 801,78

(excl. BTW)

€ 970,16

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
20 +€ 40,089€ 801,78

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
146-1770
Fabrikantnummer:
MMIX1F180N25T
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

132A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

24

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Single

Length

25.25mm

Height

5.7mm

Width

23.25 mm

Number of Elements per Chip

1

Land van herkomst:
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links