IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 Type N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T

Subtotaal (1 tube van 20 eenheden)*

€ 801,78

(excl. BTW)

€ 970,16

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
20 +€ 40,089€ 801,78

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
146-1770
Fabrikantnummer:
MMIX1F180N25T
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

132A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

GigaMOS, HiperFET

Package Type

SMPD

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

24

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

23.25 mm

Height

5.7mm

Length

25.25mm

Number of Elements per Chip

1

Land van herkomst:
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links