Nexperia Type N-Channel MOSFET, 270 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 250 eenheden)*

€ 11,50

(excl. BTW)

€ 14,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
250 - 250€ 0,046€ 11,50
500 - 1000€ 0,043€ 10,75
1250 - 2250€ 0,027€ 6,75
2500 +€ 0,026€ 6,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
151-2761
Fabrikantnummer:
NX7002BKR
Fabrikant:
Nexperia
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

270mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.8Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.67W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

1.4 mm

Length

3mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages, Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range, part of our massive MOSFET device portfolio. They are perfect for space- and power-critical applications, delivering excellent switching performance and class-leading safe operating area (SOA).

60 V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

Gerelateerde Links