Nexperia Type P-Channel MOSFET, -5.3 A, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 507,00

(excl. BTW)

€ 612,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 3.000 stuk(s) vanaf 22 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,169€ 507,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
153-0708
Fabrikantnummer:
PMV30XPEAR
Fabrikant:
Nexperia
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-5.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

57mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

5.44W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3mm

Width

1.4 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

20 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Very fast switching

Enhanced power dissipation capability: Ptot = 980 mW

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

AEC-Q101 qualified

Relay driver

High-speed line driver

High-side loadswitch

Switching circuits

Gerelateerde Links