Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6433XTMA1

Subtotaal (1 rol van 10000 eenheden)*

€ 480,00

(excl. BTW)

€ 580,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10000 +€ 0,048€ 480,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
165-5732
Fabrikantnummer:
BSS123NH6433XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

190mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-23

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2.9mm

Height

1mm

Width

1.3 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

N.v.t.

Land van herkomst:
CN

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links