Infineon Si4435DYPbF Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 1.196,00

(excl. BTW)

€ 1.448,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 4.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 +€ 0,299€ 1.196,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
170-2264
Fabrikantnummer:
SI4435DYTRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si4435DYPbF

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Height

1.5mm

Width

4 mm

Automotive Standard

No

Niet conform

The Infineon SI4435DY is the 30V single P-channel HEXFET power MOSFET in a SO-8 package. These P-channel HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize Advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area.

P-channel MOSFET

Surface mount

Available in tape and reel

Lead free

Gerelateerde Links