Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS-stocknr.:
- 177-9842P
- Fabrikantnummer:
- TN2106K1-G
- Fabrikant:
- Microchip
Subtotaal 20 eenheden (geleverd op een doorlopende strip)*
€ 11,24
(excl. BTW)
€ 13,60
(incl. BTW)
Voeg 140 eenheden toe voor gratis bezorging
Op voorraad
- 2.140 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 20 + | € 0,562 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 177-9842P
- Fabrikantnummer:
- TN2106K1-G
- Fabrikant:
- Microchip
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain