Fabrikantnummer

onsemi FDD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD86250-F085

RS-stocknr.:: 178-4442
Fabrikantnummer:: FDD86250-F085
Fabrikant:: onsemi

onsemi FDD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD86250-F085

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 17,16

(excl. BTW)

€ 20,76

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending 5.820 stuk(s) vanaf 08 juni 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 90	€ 1,716	€ 17,16
100 - 240	€ 1,48	€ 14,80
250 +	€ 1,283	€ 12,83

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 178-4442
Fabrikantnummer:: FDD86250-F085
Fabrikant:: onsemi

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	TO-252
	Series	FDD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Maximum Power Dissipation Pd	160W
	Forward Voltage Vf	1.25V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.39mm
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Alles selecteren
	Merk onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type TO-252
	Series FDD
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Maximum Power Dissipation Pd 160W
	Forward Voltage Vf 1.25V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.39mm
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Land van herkomst:: PH

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ

Typical RDS(on) = 19.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 20 A

Typical Qg(tot) = 28 nC at VGS = 10V, ID = 40 A

UIS Capability

Applications:

Automotive Engine Control

PowerTrain Management

Solenoid and Motor Drivers

Distributed Power Architectures and VRM

Primary Switch for 12V Systems

End Products:

Integrated Starter/Alternator

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.