Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA100N60E-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 9,94

(excl. BTW)

€ 12,02

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,97€ 9,94
20 - 48€ 4,475€ 8,95
50 - 98€ 4,235€ 8,47
100 - 198€ 3,97€ 7,94
200 +€ 3,73€ 7,46

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4970
Fabrikantnummer:
SIHA100N60E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4.7 mm

Height

15.3mm

Length

10.3mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links