Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA100N60E-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,15

(excl. BTW)

€ 12,282

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 996 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,075€ 10,15
20 - 48€ 4,57€ 9,14
50 - 98€ 4,33€ 8,66
100 - 198€ 4,06€ 8,12
200 +€ 3,81€ 7,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4970
Fabrikantnummer:
SIHA100N60E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

E

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.3mm

Standards/Approvals

No

Height

15.3mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.