STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD5N80K5

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,62

(excl. BTW)

€ 14,06

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.670 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 1,162€ 11,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-8440
Fabrikantnummer:
STD5N80K5
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.73Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5nC

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.17mm

Standards/Approvals

No

Width

6.2 mm

Length

6.6mm

Automotive Standard

No

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

Zener-protected

Applications

Switching applications

Gerelateerde Links