STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60DM2

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 6,62

(excl. BTW)

€ 8,01

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.175 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 1,324€ 6,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-8550
Fabrikantnummer:
STD11N60DM2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

420mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.6mm

Width

6.2 mm

Height

2.17mm

Automotive Standard

No

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Applications

Switching applications

Gerelateerde Links