STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal 25 eenheden (geleverd op een doorlopende strip)*

€ 59,90

(excl. BTW)

€ 72,475

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
25 - 45€ 2,396
50 - 120€ 2,152
125 - 245€ 1,936
250 +€ 1,846

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
192-4936P
Fabrikantnummer:
STB18N60M6
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

STB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.4mm

Height

4.37mm

Width

9.35 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

Zener-protected