STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 3.134,00

(excl. BTW)

€ 3.792,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 3,134€ 3.134,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
202-5495
Fabrikantnummer:
STB33N60DM6
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

ST

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.115Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

190W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

15.85mm

Width

4.6 mm

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Gerelateerde Links