DiodesZetex Dual DMN3061 1 Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 348,00

(excl. BTW)

€ 420,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 14 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,116€ 348,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
206-0081
Fabrikantnummer:
DMN3061SVT-7
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TSOT

Series

DMN3061

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

200mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.08W

Forward Voltage Vf

0.7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Height

0.9mm

Width

1.6 mm

Standards/Approvals

No

Length

2.9mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The DiodesZetex 30V dual N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 0.88W thermal power dissipation.

Low input capacitance

Fast switching speed

Gerelateerde Links