DiodesZetex Dual DMN3401 2 Type N-Channel MOSFET, 800 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 14,00

(excl. BTW)

€ 17,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.900 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 50€ 0,28€ 14,00
100 - 200€ 0,246€ 12,30
250 - 450€ 0,239€ 11,95
500 - 950€ 0,234€ 11,70
1000 +€ 0,227€ 11,35

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
206-0085
Fabrikantnummer:
DMN3401LDW-7
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

800mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

DMN3401

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.35W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.3 mm

Length

2.15mm

Height

0.95mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Land van herkomst:
CN
The DiodesZetex 30V dual N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 0.29 W thermal power dissipation.

Low on-resistance

Low input capacitance

Gerelateerde Links