Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 112 A, 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET AUIRL7736M2TR

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 18,73

(excl. BTW)

€ 22,665

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.800 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,746€ 18,73
25 - 45€ 3,222€ 16,11
50 - 120€ 3,032€ 15,16
125 - 245€ 2,808€ 14,04
250 +€ 2,622€ 13,11

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-8965
Fabrikantnummer:
AUIRL7736M2TR
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

112A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

DirectFET

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.35mm

Height

0.74mm

Width

5.05 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon combines the latest Automotive HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced packaging platform to achieve exceptional performance in a package that has the footprint of an SO-8 or 5X6mm PQFN and only 0.7mm profile. The package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques etc. The package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.

Advanced Process Technology

Logic Level

High Power Density

Gerelateerde Links