Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB024N10N5ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 24,60

(excl. BTW)

€ 29,75

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 285 stuk(s) vanaf 02 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 4,92€ 24,60
10 - 20€ 4,426€ 22,13
25 - 45€ 4,132€ 20,66
50 - 120€ 3,836€ 19,18
125 +€ 3,592€ 17,96

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-9009
Fabrikantnummer:
IPB024N10N5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 100V power MOSFET is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hot swap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.

100% avalanche tested

Qualified according to JEDEC for target applications

Gerelateerde Links