STMicroelectronics SCTH70N 1 MOSFET, 90 A, 1.2 kV, 7-Pin H2PAK-7 SCTH70N120G2V-7

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
219-4223
Fabrikantnummer:
SCTH70N120G2V-7
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Series

SCTH70N

Number of Elements per Chip

1

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

90 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

1.2 kV

Pin Count

7

Package Type

H2PAK-7

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

0.21 Ω

Mount Type

Surface

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.