Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA70R900P7SXKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 10,395

(excl. BTW)

€ 12,585

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 120 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 60€ 0,693€ 10,40
75 - 135€ 0,659€ 9,89
150 - 360€ 0,632€ 9,48
375 - 735€ 0,603€ 9,05
750 +€ 0,563€ 8,45

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4644
Fabrikantnummer:
IPA70R900P7SXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-220

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Extremely low losses due to very low FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss)

Integrated ESD protection diode

Gerelateerde Links