Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R280CFD7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,80

(excl. BTW)

€ 14,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 1.980 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,18€ 11,80
50 - 90€ 1,121€ 11,21
100 - 240€ 1,074€ 10,74
250 - 490€ 1,027€ 10,27
500 +€ 0,957€ 9,57

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4671
Fabrikantnummer:
IPD60R280CFD7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Maximum Power Dissipation Pd

51W

Forward Voltage Vf

1V

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Green Product (RoHS compliant)

MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

Gerelateerde Links